2024年慕尼黑上海光博會于3月20—22日舉行，陜西光電子先導院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵（GaAs）IPD晶圓、氮化鎵（GaN）HEMT晶圓4項成果亮相，展位上的各項產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。

據(jù)光電子先導院技術(shù)人員介紹，“研發(fā)技術(shù)團隊僅用了6個月的開發(fā)周期，就完成了VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓2款產(chǎn)品的全流程工藝開發(fā)，通過了1000H的高溫高濕、高溫帶電、冷熱沖擊等可靠性測試，并發(fā)布了PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）。這意味著公司已經(jīng)具備了相應的工藝代工能力。”

此外，“基于常開型GaN HEMT 技術(shù)，公司研發(fā)技術(shù)團隊還完成了器件不同技術(shù)路線工藝流程的開發(fā)；針對GaAs無源器件模型，開發(fā)了無源器件成套工藝，完成薄膜電阻、平板電容、螺旋電感等器件的建模。公司已經(jīng)具備GaN HEMT 、GaAs無源器件共性基礎(chǔ)工藝能力，正在進一步優(yōu)化器件性能，可同步對接研發(fā)流片需求”，光電子先導院技術(shù)人員說。

本屆光博會，來自海內(nèi)外的1200家光電行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚于此，共同探索光電行業(yè)的未來發(fā)展方向，聚焦新技術(shù)、新趨勢，成為詮釋“新質(zhì)生產(chǎn)力”的風向標。

“光子行業(yè)的發(fā)展，將推動信息技術(shù)和新型工業(yè)化質(zhì)的飛躍，是新質(zhì)生產(chǎn)力的典型代表。”陜西光電子先導院總經(jīng)理楊軍紅認為，隨著人工智能、航空航天、智能制造、新能源、生命科學的蓬勃發(fā)展，光子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也逐漸進入快速增長期。

作為陜西省光子產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，陜西光電子先導院以“暢鏈”和“延鏈”進行帶動，目前陜西全省光子產(chǎn)業(yè)企業(yè)已發(fā)展到300余家、產(chǎn)值300余億元，形成了光子領(lǐng)域全國創(chuàng)新版圖中的“陜西生產(chǎn)力”。

楊軍紅表示，“光電子先導院一直把為光子企業(yè)提供研發(fā)、中試、測試、工程化服務作為核心價值，先進光子器件工程創(chuàng)新平臺為更多項目提供‘化合物+硅光芯片’全流程服務，吸引更多的光電子芯片創(chuàng)新主體融通匯集、聚鏈成群。”

為了拓展工程平臺“1+N”的服務模式，除了VCSEL主平臺工藝的開發(fā)外，陜西光電子先導院在2023年還同步進行砷化鎵IPD無源器件和GaN HEMT共性基礎(chǔ)工藝平臺開發(fā)。截至2023年末，已完成了基礎(chǔ)工藝的開發(fā)，并經(jīng)過多輪流片驗證，工藝過程參數(shù)均符合指標要求，工藝過程可控。

為進一步培育光子產(chǎn)業(yè)競爭新優(yōu)勢，陜西光電子先導院將對現(xiàn)有平臺進行升級。一方面，擬對現(xiàn)有化合物光子器件中試平臺進行升級擴能，新增高可靠車規(guī)級激光器芯片工藝設備；另一方面擬新建先進硅光集成技術(shù)創(chuàng)新平臺，新增硅光工藝設備，開發(fā)先進硅光集成芯片工藝技術(shù)，具備硅光工藝研發(fā)、中試能力。

據(jù)介紹，擴能升級完成后，光電子先導院將實現(xiàn)“化合物+硅光芯片”全流程的研發(fā)、試驗、中試能力，有效助力解決光子領(lǐng)域長期存在的科研和市場“兩張皮”“大科技小產(chǎn)業(yè)”等問題。也將有效助力消除科技創(chuàng)新中的“孤島現(xiàn)象”，使光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果更快轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實生產(chǎn)力，推動實體經(jīng)濟發(fā)展。

（來源:新華絲路）